Samsung анонсирует DDR2 модули, выполненые по технологии TSV

В начале этой недели, корейская компания Samsung приоткрыла завесу тайны над своим новым 4 GB модулем памяти DDR2, выполненным по технологии "through-silicon via" (TSV), что можно перевести как "внутрикремниевые межсоединения".

В новом 4 GB модуле использованы четыре пары чипов DDR2 по 512 MB каждый. DRAM-чипы упакованы в виде стэка - традиционные проводные соединения между чипами заменены на сквозные микростержни, которые создаются путем заливки металла-проводника в предварительно вытравленные микроскопические отверстия. Такое решение позволяет значительно повысить производительность и уменьшить габариты упаковки.

Помимо этого, внутри модуля DRAM все TSV-контакты имеют дополнительные алюминиевые экраны, которые устраняют негативный эффект снижения производительности за счет возникающих помех. Специалисты компанни Samsung считают, что разработанная технология способна не только поддерживать память стандарта DDR3, но, в принципе, является технологией для производства высокопроизводительных систем, обладающих заметно меньшим уровнем энергопотребления по сравнению с предшественниками.

Samsung анонсирует DDR2 модули, выполненые по технологии TSV